2026年，AI算力建设全速推进正在深刻改变数据中心供电架构的底层逻辑。从英伟达GB系列到华为昇腾集群，新一代AI服务器的单GPU功耗已突破1000W，单机柜功率密度从*统的10-15kW飙升至100-200kW。这一量级跃升直接推动数据中心供电架构从*统的12V横向供电全面切换至48V垂直埋入式供电（VPD），整条供电链路正在经历一场前所未有的重构。
据36氪报道，全球功率半导体市场规模有望从2025年的289亿美元增至2030年的433亿美元，其中AI数据中心相关规模将达到106亿美元，占比接近四分之一。在这场供电革命中，电源模块作为能量转换的核心环节，正迎来技术路线和产品形态的深刻变革。
*统12V横向供电架构存在无法突破的物理*限：
电流过大：单机柜100kW功率在12V下需要8333A电流，铜排截面积和损耗无法接受
效率低下：线路铜损与电流平方成正比，12V架构下的*输损耗高达数千瓦
扩展受限：单机柜功率上限仅50kW，无法满足新一代AI硬件的功耗需求
48V垂直供电架构的核心优势：
电流缩减75% ：同样功率下，*输电流仅为12V的1/4，线路损耗下降16倍
效率提升：*输损耗大幅降低，整条供电链路效率提升3-5个百分点
适配高密度：可轻松支持单机柜100-200kW的功率密度
48V供电架构的落地，意味着整条供电链路中的电源模块需要全面升级：
1. 服务器电源（PSU）
从*统的80Plus白金/钛金级向更高效率演进，单台功率从3kW向5.5kW甚至更高攀升。SiC器件在PSU原边的应用成为趋势。
2. 中间总线转换器（IBC）
48V到12V/6V的IBC模块成为新增量。每台AI服务器需要多颗IBC模块完成板级电压转换。
3. 负载点（PoL）模块
从12V直接转换为GPU核心电压（0.7-1.0V）的PoL模块，需要*高的瞬态响应能力和功率密度。
4. 隔离电源模块
48V母线上的辅助供电、信号隔离等场景仍需要大量DC-DC隔离模块，对隔离耐压和效率提出更高要求。
48V供电架构不仅改变了电源模块的技术路线，更重塑了整条供电链路中被动元件的价值分配格局。
据2026年二季度一线产业调研数据：
TLVR（Trans-Inductor Voltage Regulator）耦合电感是48V供电架构中*重要的新增器件之一。其核心优势包括：
48V架构落地后，MLCC的增量逻辑发生本质变化：
供电侧去耦电容削减30%-50%，常规中低压MLCC需求持续疲软
高压、高容、超低ESL的AI专用MLCC仍有稳定增量
MLCC赛道增长从"大规模铺量"转向"**定制小批量"
2026年慕尼黑上海电子展上，多家功率半导体巨头展示了SiC在AI数据中心供电中的完整方案：
1. 服务器电源原边
SiC MOSFET在服务器PSU原边替代*统硅基超结MOS，效率提升1-2个百分点，体积缩小30%。
2. 高压直流（HVDC）系统
在240V/336V HVDC架构中，1200V SiC器件可显著降低开关损耗，提升系统效率。
3. 固态变压器（SST）
SST是下一代数据中心供电的核心技术方向。高耐压SiC器件（3.3kV/6.5kV）可使SST系统"做减法"——减少器件串联数量，降低系统复杂度。
2026年开年以来，功率半导体行业迎来密集涨价潮，核心驱动因素包括：
AI数据中心需求爆发：功率半导体巨头集体押注AI数据中心赛道
韩国政府投入5000亿韩元研发资金推动下一代功率半导体量产
SiC晶圆产能持续紧张：8英寸SiC产线扩产仍需时间
碳化硅在数据中心的复合年增长率高达29.5%（SiC）和46.3%（GaN）
在2026年慕尼黑上海电子展上，Vicor展示了50V转1V的小体积高功率模块。这类模块代表了AI数据中心供电链路向负载近端压缩的趋势——当GPU功耗越来越高、电流越来越大时，**一级供电离芯片越近，对模块体积、效率和瞬态响应的要求就越高。
在国内功率半导体产业链中，以泰科天润为代表的SiC器件企业正在高耐压领域取得突破。更高耐压的SiC单管（如3.3kV）可以让SST系统结构变简单，降低系统成本和提升可靠性。
对于电源模块厂商而言，竞争已从单一器件的性能比拼，升级为从高压侧到负载近端的整条供电链路的系统方案竞争。具备全链路设计能力的厂商将获得更大的竞争优势。
面对供电架构的深刻变革，铭锌科技工程团队为数据中心用户提供以下建议：
1. 关注模块效率在全负载范围内的表现
AI数据中心的负载波动剧烈，电源模块不仅在满载时需要高效率，在轻载（10%-30%）时也需保持高效率。选型时应查看全负载范围效率曲线。
2. 优先选择支持宽温域工作的工业级模块
数据中心虽然有机房空调，但在高密度部署场景下，局部热点温度可达60℃以上。选择-40℃~+85℃宽温域工业级模块，可确保在*端工况下稳定运行。
3. 重视模块的EMC性能和隔离耐压
AI数据中心供电链路复杂，EMI环境恶劣。选择具备高隔离耐压（≥3000VDC）和**EMC性能的模块，可有效降低系统级EMC整改成本。
4. 预留冗余和扩容空间
在高可用性要求的场景下，建议选择支持并联冗余的电源模块，按N+1或N+2配置，确保单模块故障时系统不中断。
2026年，AI数据中心的供电革命正在从概念走向全面落地。48V垂直供电架构的批量部署、SiC/GaN器件的加速渗透、供电链路的系统级重构，正在深刻改变电源模块行业的产品形态和竞争格局。对于电源模块厂商和数据中心用户而言，把握这一轮技术变革的节奏，选择具备系统方案设计能力的合作伙伴，将成为制胜关键。
